內(nèi)置電源，ac100-120/200-240v。
提高可靠性，強(qiáng)化功能走向新一代。
由于生產(chǎn)現(xiàn)場愈加復(fù)雜化、高速化，用戶的需求亦日趨多樣化。
為此，須提高c200hg/c200he/c200hx的基本性能，提高處理速度等cpm2c-20cdtm-d手冊(cè)。
生產(chǎn)現(xiàn)場要求產(chǎn)品上的高性能、高標(biāo)準(zhǔn)，不斷升級(jí)換代！
創(chuàng)對(duì)當(dāng)代制造業(yè)的嚴(yán)格要求激勵(lì)著歐姆龍，
始終以最新的產(chǎn)品及科學(xué)觀念投身生產(chǎn)現(xiàn)場cpm2c-20cdtm-dcpu單元成雙：可成雙。
輸入輸出點(diǎn)數(shù)：5120點(diǎn)。
擴(kuò)展裝置的數(shù)量：最多7個(gè)。
用戶程序容量：250k步。
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器：448k字。dm：32k字；em：32k字× 13個(gè)存儲(chǔ)庫cpm2c-20cdtm-d手冊(cè)。
實(shí)現(xiàn)高可靠性的基于plc的雙過程控制系統(tǒng)。
可以創(chuàng)建各種系統(tǒng)配置，
例如使用帶內(nèi)置回路控制板(lcb)功能的cs1d過程控制cpu單元的雙cpu系統(tǒng)，
或使用安裝于cs1d cpu單元內(nèi)插板凹槽的回路控制板的單cpu。
您可以保留通用plc基礎(chǔ)的開放性和高性價(jià)比，
同時(shí)以等效于dcs的一些功能和性能的過程控制功能和可靠性來擴(kuò)展plc控制范圍cpm2c-20cdtm-d手冊(cè)。輸入點(diǎn)數(shù)：64點(diǎn)。
輸入電壓和電流：6ma，24vdc。
將單元安裝到cpu裝置時(shí)，最多可控制960點(diǎn)。
cs1提高高級(jí)空間效率。只需將10個(gè)基本i/o單元(各96個(gè)i/o點(diǎn))安裝到cpu裝置，
即可控制多達(dá)960個(gè)i/o點(diǎn)歐姆龍cpm2c-20cdtm-d安全注意事項(xiàng)。或者，通過按住五個(gè)模擬量輸入單元和五個(gè)模擬量輸出單元，
也可控制多達(dá)80個(gè)模擬量i/o點(diǎn)。
提高了數(shù)據(jù)鏈接、遠(yuǎn)程i/o通信和協(xié)議宏的刷新性能。
以前，僅在執(zhí)行指令后的i/o刷新期間，cpu總線單元才會(huì)發(fā)生i/o刷新。
但是，借助新cs1，通過使用dlnk指令，可立即刷新i/o歐姆龍cpm2c-20cdtm-d安全注意事項(xiàng)。
立即刷新特定于cpu總線單元的過程意味著可提高cpu總線單元的刷新響應(yīng)性，
如執(zhí)行指令時(shí)用于數(shù)據(jù)鏈接和devicenet遠(yuǎn)程i/o通信和分配的cio區(qū)/dm區(qū)字的過程。選擇功能單元：輸入/輸出 切換歐姆龍cpm2c-20cdtm-d安全注意事項(xiàng)。
點(diǎn)數(shù)：16、32、64點(diǎn)切換。
外部供給電源：dc24v,30ma以上。
內(nèi)部消耗電流：dc5v,35ma以上。pc卡凹槽：1個(gè)pc card type ii凹槽，插入歐姆龍hmc-ef□□□以使用存儲(chǔ)卡。
ethernet(lan)端口：1個(gè)端口(10/100base-tx)。
無需編寫梯形編程即可收集數(shù)據(jù)。
使用現(xiàn)有系統(tǒng)，只需安裝sysmac spu單元元并將其添加到i/o表中即可開始數(shù)據(jù)收集cpm2c-20cdtm-d。
使用指定時(shí)間或事件作為觸觸發(fā)器以將指定字的內(nèi)容記錄在cpu單元的i/o存儲(chǔ)器中cpm2c-20cdtm-d手冊(cè)。
在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)模式中，可使用多達(dá)65個(gè)數(shù)據(jù)收集模式，
其中含一個(gè)基本收集模式和數(shù)據(jù)收集模式1~64。
將收集模式與事件相結(jié)合可同時(shí)收集眾多類型的數(shù)據(jù)。