cmos-ram單元：電容器備份。
UM：7K字；
DM：1K字。
CPU有一個(gè)安裝存儲(chǔ)器盒的艙。
存儲(chǔ)器盒作為RAM和CPU內(nèi)置RAM共同工作。
可選用EEPROM和EPROM存儲(chǔ)器盒。
要將程序?qū)懭隕PROM，請使用標(biāo)準(zhǔn)PROM寫入器。
在EPROM存儲(chǔ)器盒裝入CPU之前，先將EPROM連接至EPROM存儲(chǔ)器盒內(nèi)CRT1-VOD16ML-1
若將EPROM存儲(chǔ)器盒從CPU上拆下，不會(huì)丟失它的數(shù)據(jù)。輸出點(diǎn)數(shù)：96點(diǎn)。
開關(guān)容量：DC12～24，0.1 A，源型。
所需字?jǐn)?shù)：6字。
將單元安裝到CPU裝置時(shí)，最多可控制960點(diǎn)。
CS1提高高級(jí)空間效率。只需將10個(gè)基本I/O單元(各96個(gè)I/O點(diǎn))安裝到CPU裝置，
即可控制多達(dá)960個(gè)I/O點(diǎn)。或者，通過按住五個(gè)模擬量輸入單元和五個(gè)模擬量輸出單元，
也可控制多達(dá)80個(gè)模擬量I/O點(diǎn)。
提高了數(shù)據(jù)鏈接、遠(yuǎn)程I/O通信和協(xié)議宏的刷新性能。
以前，僅在執(zhí)行指令后的I/O刷新期間，CPU總線單元才會(huì)發(fā)生I/O刷新。
但是，借助新CS1，通過使用DLNK指令，可立即刷新I/O。
立即刷新特定于CPU總線單元的過程意味著可提高CPU總線單元的刷新響應(yīng)性，
如執(zhí)行指令時(shí)用于數(shù)據(jù)鏈接和DeviceNet遠(yuǎn)程I/O通信和分配的CIO區(qū)/DM區(qū)字的過程。標(biāo)準(zhǔn)型，內(nèi)置模擬量。
電源規(guī)格：DC24V。
輸入點(diǎn)數(shù)：12點(diǎn)，模擬輸入2點(diǎn)。
輸出點(diǎn)數(shù)：8點(diǎn)，模擬輸出1點(diǎn)。
輸出型：晶體管(漏型)。
程序容量：8K步。
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)容量：8K字。
具備先進(jìn)的控制性能和功能，應(yīng)用廣泛。
應(yīng)用機(jī)型內(nèi)置高速計(jì)數(shù)器功能、脈沖輸出功能、串行連接端口。
此外，使用擴(kuò)展單元及選項(xiàng)板時(shí)，可支持各種裝置控制。
脈沖輸出功能僅晶體管輸出型。
使用100kHz、2軸脈沖輸出功能實(shí)現(xiàn)高精度定位控制。
Modbus-RTU簡易主機(jī)功能。
通過內(nèi)置RS-485指定變頻器速度。
模擬輸入輸出功能。
憑借1/12,000的高分辨率，實(shí)現(xiàn)高精度的模擬輸入輸出控制。
使用選項(xiàng)板可擴(kuò)展較少點(diǎn)數(shù)，使用擴(kuò)展單元最多可擴(kuò)展24點(diǎn)。輸入點(diǎn)數(shù)：16點(diǎn)。
輸入電壓：DC5-12V。
輸入電流：16mA/DC12V。
動(dòng)作電壓（ON電壓）：最小DC4V。
動(dòng)作電壓（OFF電壓）：最大AC1.5V。
輸入應(yīng)答時(shí)間（ON應(yīng)答時(shí)間）：1.5ms以下。
輸入應(yīng)答時(shí)間（OFF應(yīng)答時(shí)間）：1.5ms以下。
這是PLC控制器最基本、最廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域，
它取代傳統(tǒng)的繼電器電路，
實(shí)現(xiàn)邏輯控制、順序控制，既可用于單臺(tái)設(shè)備的控制，
也可用于多機(jī)群控及自動(dòng)化流水線。
如注塑機(jī)、印刷機(jī)、訂書機(jī)械、組合機(jī)床、磨床、包裝生產(chǎn)線、電鍍流水線等等。
開關(guān)量主要指開入量和開出量，是指一個(gè)裝置所帶的輔助點(diǎn)，
譬如變壓器的溫控器所帶的繼電器的輔助點(diǎn)點(diǎn)、閥門凸輪開關(guān)所帶的輔助點(diǎn)，
接觸器所帶的輔助點(diǎn)、熱繼電器，
這些點(diǎn)一般都傳給PLC或綜保裝置，
電源一般是由PLC或綜保裝置提供的，
自己本身不帶電源，所以叫無源接點(diǎn)，
也叫PLC或綜保裝置的開入量。