輸入輸出點數(shù)：4096點。
輸入輸出元件數(shù)：8192點。
程序容量：26 k步。
處理速度：79ns。
程序存儲器容量：144 KB。
內(nèi)置RS232通信口三菱Q03UDECPU手冊。
支持安裝記憶卡。
僅用于A模式。
提升基本性能。
CPU的內(nèi)置軟元件存儲器容量增加到最多60K字。
對增大的控制、質(zhì)量管理數(shù)據(jù)也可高速處理Q03UDECPU
方便處理大容量數(shù)據(jù)。
以往無法實現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)RAM和SRAM卡文件寄存器區(qū)域的連續(xù)存取，
在編程時需要考慮各區(qū)域的邊界。
在高速通用型QCPU中安裝了8MB SRAM擴(kuò)展卡，
可將標(biāo)準(zhǔn)RAM作為一個連續(xù)的文件寄存器，
容量最多可達(dá)4736K字，從而簡化了編程。
因此，即使軟元件存儲器空間不足，
也可通過安裝擴(kuò)展SRAM卡，方便地擴(kuò)展文件寄存器區(qū)域三菱Q03UDECPU手冊。
變址寄存器擴(kuò)展到了32位，從而使編程也可超越了傳統(tǒng)的32K字，
并實現(xiàn)變址修飾擴(kuò)展到文件寄存器的所有區(qū)域。
另外，變址修飾的處理速度對結(jié)構(gòu)化數(shù)據(jù)（陣列）的高效運(yùn)算起著重要作用，
該速度現(xiàn)已得到提高。
當(dāng)變址修飾用于反復(fù)處理程序（例如從FOR到NEXT的指令等）中時，可縮短掃描時間。SRAM+E2PROM存儲卡。
RAM容量：256KB。
E2PROM容量：256KB。輸入點數(shù)：32點。
輸入電壓及電流：DC5/12V　1.2mA(DC5V)/3.3mA(DC12V)。
應(yīng)答時間：1/5/10/20/70ms。
32點/1個公共端。
Developer）和CPU直接連接（ 1對1）時，
無需進(jìn)行IP地址設(shè)置三菱Q03UDECPU手冊。而且無需選擇電纜，直通線和交叉線均可使用。
因此，這種連接方法和使用USB一樣，可輕松與CPU進(jìn)行通信，
即使是不熟悉網(wǎng)絡(luò)設(shè)置的操作人員也能輕松建立連接。
具有卓越性能的各種模塊,
滿足從模擬量到定位的各種控制需求。
Q系列模塊產(chǎn)品包括種類豐富的各種I/O、模擬量和定位功能模塊。
可全面地滿足開關(guān)、傳感器等的輸入輸出，溫度、重量、流量和電機(jī)、驅(qū)動器的控制，
以及要求高精度控制的定位等各行業(yè)、各領(lǐng)域的控制需求。
還可與CPU模塊組合使用，實現(xiàn)恰如其分的控控制Q03UDECPU編程手冊。
不斷超越，勇攀Q系列巔峰。
強(qiáng)化安全功能。
可設(shè)定最長32字符的文文件密碼Q03UDECPU編程手冊。
除了英文字母、數(shù)字以外，還可使用特殊字符，
進(jìn)一步增強(qiáng)了密碼的安全性。
此外，僅允許預(yù)先注冊過的設(shè)備訪問CPU，
從而攔截了非授權(quán)用戶的非法訪問。
因此可防止重要程序資產(chǎn)的流出，保護(hù)知識產(chǎn)權(quán)。