E3JK-R2S3檢測(cè)方式：回歸反射型帶M.S.R.功能，
連接方式：導(dǎo)線引出型，
檢測(cè)距離：2.5m。
輸出狀態(tài):入光時(shí)ON；遮光時(shí)ON。
輸出:DC無觸點(diǎn)，
實(shí)現(xiàn)降低成本的2種類型E3FA塑料外殼歐姆龍E3Z-L61-S0SRW-E5。
傳感器類型：具有P-opaquing功能的透明瓶檢測(cè)型。
檢測(cè)距離：0.1-2m使用E39-RP1使用E39-RP1E3Z-L61-S0SRW-E5
連接方式：M12接插件。
輸出方式：NPN。激光型反射板近薄膜型E3ZM-T61檢測(cè)形式：對(duì)射型，
連接方式：導(dǎo)線引出型（2m） 3，
輸出方式：NPN輸出，
不銹鋼外殼具有更大的傳感距離的安全安裝歐姆龍E3Z-L61-S0SRW-E5。
尺寸：M18，非屏蔽。
檢測(cè)距離：16mm。
連接方式：導(dǎo)線引出型。
機(jī)身材料：黃銅。
螺紋長(zhǎng)度（總長(zhǎng)度）：61(81)。
輸出形式：NPN。
動(dòng)作模式：NO。電極部采用了SUS 316，緣包層采用了聚乙烯，
抗酸堿性等性能得以提升。
標(biāo)簽紙采用了與檢測(cè)帶緣樹脂相同材質(zhì)，
分為膠帶粘著固定型和螺絲固定型歐姆龍E3Z-L61-S0SRW-E5。項(xiàng)目：Lite控制器。
描述：BOX型控制器。
處理項(xiàng)目：無。
照相機(jī)個(gè)數(shù)：4個(gè)。
輸出：PNP。
性能通過與處理器相得益彰的獨(dú)創(chuàng)軟件結(jié)構(gòu)得以大化。
專為四核處理器而設(shè)計(jì)的軟件自動(dòng)確定更快的處理方案。
即是對(duì)于為系統(tǒng)帶來較大負(fù)載的高分辨率照相機(jī)和檢索處理，
也已實(shí)現(xiàn)高的速度歐姆龍放大器內(nèi)置型光電開關(guān)（細(xì)小光束型）。E3JM-DS70S4檢測(cè)方式：擴(kuò)散反射型，
連接方式：端子板型，
檢測(cè)距離：700mm。
輸出狀態(tài):入光ON;遮光時(shí)時(shí)ON;開關(guān)轉(zhuǎn)換式E3Z-L61-S0SRW-E5。
輸出:DC無觸點(diǎn)。
實(shí)現(xiàn)降低成本的2種類類型檢測(cè)方式:擴(kuò)散反射型.
檢測(cè)距離:100mm.
用途：側(cè)視式，
小型;薄型探頭省空間
帶有能緊密安裝的干擾防止功能電源電壓：DC24V歐姆龍放大器內(nèi)置型光電開關(guān)（細(xì)小光束型）歐姆龍E3Z-L61-S0SRW-E5。
控制輸出：NPN輸出。